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    霍爾效應測量磁場實驗報告

    時間:2020-09-13 16:20:17 來源:勤學考試網 本文已影響 勤學考試網手機站

    PAGE 4

    【實驗題目】通過霍爾效應測量磁場

    【實驗目的】

    1、了解霍爾效應原理以及有關霍爾器件對材料要求的知識。

    2、學習用“對稱測量法”消除付效應影響。

    3、根據霍爾電壓判斷霍爾元件載流子類型,計算載流子的濃度和遷移速度,

    【實驗儀器】

    QS-H霍爾效應組合儀

    【實驗原理】

    1、通過霍爾效應測量磁場

    霍爾效應裝置如圖2.3.1-1和圖2.3.1-2所示。將一個半導體薄片放在垂直于它的磁場中(B的方向沿z軸方向),當沿y方向的電極A、A上施加電流I時,薄片內定向移動的載流子(設平均速率為)受到洛倫茲力的作用,

    (1)

    無論載流子是負電荷還是正電荷,的方向均沿著x方向,在磁力的作用下,載流子發生偏移,產生電荷積累,從而在薄片B、B兩側產生一個電位差,形成一個電場E。電場使載流子又受到一個與FB方向相反的電場力,

    (2)

    其中b為薄片寬度,隨著電荷累積而增大,當達到穩定狀態時,即

    (3)

    這時在B、B兩側建立的電場稱為霍爾電場,相應的電壓稱為霍爾電壓,電極B、B稱為霍爾電極。

    另一方面,射載流子濃度為n,薄片厚度為d,則電流強度與的關系為:

    或 (4)

    由(3)和(4)可得到

    (5)

    另,則

    (6)

    R稱為霍爾系數,它體現了材料的霍爾效應大小。根據霍爾效應制作的元件稱為霍爾元件。

    在應用中,(6)常以如下形式出現:

    (7)

    式中稱為霍爾元件靈敏度,稱為控制電流。

    由式(7)可見,若、已知,只要測出霍爾電壓,即可算出磁場的大??;并且若知載流子類型(n型半導體多數載流子為電子,P型半導體多數載流子為空穴),則由的正負可測出磁場方向,反之,若已知磁場方向,則可判斷載流子類型。

    2、霍爾效應實驗中的付效應

    在實際應用中,伴隨霍爾效應經常存在其他效應。例如實際中載流子遷移速率u服從統計分布規律,速度小的載流子受到的洛倫茲力小于霍爾電場作用力,向霍爾電場作用力方向偏轉,速度大的載流子受到磁場作用力大于霍爾電場作用力,向洛倫茲力方向偏轉。這樣使得一側告訴載流子較多,相當于溫度較高,而另一側低速載流子較多,相當于溫度較低。這種橫向溫差就是溫差電動勢VE,這種現象稱為愛延豪森效應。這種效應建立需要一定時間,如果采用直流電測量時會因此而給霍爾電壓測量帶來誤差,如果采用交流電,則由于交流變化快使得愛延豪森效應來不及建立,可以減小測量誤差。

    此外,在使用霍爾元件時還存在不等位電動勢引起的誤差,這是因為霍爾電極B、B’不可能絕對對稱焊在霍爾片兩側產生的。由于目前生產工藝水平較高,不等位電動勢很小,故一般可以忽略,也可以用一個電位器加以平衡(圖2.3.1-1中電位器R1)。

    我們可以通過改變IS和磁場B的方向消除大多數付效應。具體說在規定電流和磁場正反方向后,分別測量下列四組不同方向的IS和B組合的VBB’,即

    +B, +I, VBB’=V1

    -B, +I, VBB’=-V2

    -B, -I, VBB’=V3

    +B, -I, VBB’=-V4

    然后利用得到霍爾電壓平均值,這樣雖然不能消除所有的付效應,但其引入的誤差不大,可以忽略不計。

    3、電導率測量

    測量方法如圖3所示。設BC間距離為L,樣品橫截面積為S=bd,流經樣品電流為,在零磁場下,測得BC間電壓為,則: (8)

    ?

    【實驗內容及步驟】

    一、驗證霍爾電壓與工作電流、霍爾電壓與磁場()即與的關系。

    1、將測試儀上輸出,輸出和輸入三對接線柱分別與實驗臺上對應接線柱連接。打開測試儀電源開關,預熱數分鐘后開始實驗。

    ?2、保持不變,取,取1.00,1.50……,4.50mA,將數據填入表1,測繪曲線,并計算即。

    3、保持不變,取,取,將數據填入表,2,測繪曲線。

    4、在零磁場下,取,測。

    5、確定樣品導電類型。

    二、測量螺線管周圍的磁場

    取,,霍爾元件放在磁場種不同位置,分別測量霍爾電壓。填入表2,計算出,在坐標紙上畫出曲線。

    【原始數據】

    表1 霍爾電壓測量 (,霍爾片放在磁場中最強的地方)單位:

    ()

    0.10

    0.15

    0.20

    0.25

    0.30

    0.35

    表2 霍爾電壓測量 (,霍爾片放在磁場中最強的地方)單位:

    ()

    0.10

    0.15

    0.20

    0.25

    0.30

    0.35

    表3 霍爾元件放在磁場種不同位置,測量霍爾電壓(,)

    X(mm)

    -18

    -17

    -16

    -15

    -14

    -10

    -6

    0

    6

    10

    14

    16

    17

    18

    (mV)

    (T)

    【實驗數據處理】

    思考題

    若磁場不恰好與霍爾元件片底法線一致,對測量結果有何影響,如果用實驗方法判斷B與元件發現是否一致?

    能否用霍爾元件片測量交變磁場

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